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南京氮化镓单晶基片

  • 产品名称: 南京氮化镓单晶基片
  • 产品分类: 氮化镓单晶基片
  • 公司名称: 山东科恒晶体材料科技有限公司
  • 添加时间: 18/01/30
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  氮化镓单晶基片
  一、合成方法
  1、即使在1000℃氮与镓也不直接反应。在氨气流中于1050~1100℃下加热金属镓30min可制得疏松的灰色粉末状氮化镓GaN。加入碳酸铵可提供气体以搅动液态金属,并促使与氮化剂的接触。
  2、在干燥的氨气流中焙烧磨细的GaP或GaAs也可制得GaN。
  二、材料简介
  GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、GaAs、InP化合物半导体材料之后的半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
  优点
  1、工作温度高,击穿电压高,抗辐射能力强;
  2、与导带的其他能谷之间能量差大,则不易产生谷间散射,从而能得到很高的强场漂移速度(电子漂移速度不易饱和);
  3、能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率高;
  4、晶格对称性比较低,具有很强的压电性和铁电性:在异质结界面附近产生很强的压电极化和自发极化,感生出高密度的界面电荷,强烈调制了异质结的能带结构,加强了对2-DEG的二维空间限制,从而提高了2-DEG的面密度。


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